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 Improving the Polishing Speed and Surface Quality of 4H-SiC Wafers with an MnO<sub>2</sub>- Based Slurry 用MnO基浆料提高4H-SiC晶片的抛光速度和表面质量
相关领域
抛光
化学机械平面化
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期刊：Solid State Phenomena 作者：Takuma Nakamura; Akinori Kumagai; Yasunobu Saruwatari; Shuhei Hara 出版日期：2023-05-25 |
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