Band parameters for nitrogen-containing semiconductors

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标题	Band parameters for nitrogen-containing semiconductors 含氮半导体的能带参数相关领域纤锌矿晶体结构鞠躬带隙半导体宽禁带半导体材料科学凝聚态物理压电氮化物电子能带结构异质结合金半金属直接和间接带隙波段图锌光电子学纳米技术物理冶金哲学神学图层（电子）复合材料
网址	https://doi.org/10.1063/1.1600519
DOI	10.1063/1.1600519 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：I. Vurgaftman; J. R. Meyer 出版日期：2003-08-29
求助人	jungle 在 2024-03-03 17:36:15 发布自广东，悬赏 10 积分
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