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 High-performance normally off AlGaN/GaN high electron mobility transistor with p-type h-BN cap layer 具有p型h-BN覆盖层的高性能常闭AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
宽禁带半导体
晶体管
氮化镓
图层（电子）
阈值电压
击穿电压
氮化物
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纳米技术
电气工程
工程类
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Nan Wang; Haiping Wang; Zhuokun He; Xiaohui Gao; Dunjun Chen; et al 出版日期：2023-10-20 |
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