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 Analysis on Contact Resistance and Effective Channel Length of Thin Film Transistors Using Composition-Modified In–Ga–Zn-O Active Channels Prepared with Atomic Layer Deposition and Various Electrode Materials 原子层沉积法制备成分修饰In-Ga-Zn-O有源沟道和不同电极材料薄膜晶体管的接触电阻和有效沟道长度分析
相关领域
原子层沉积
薄膜晶体管
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材料科学
双金属片
氧化铟锡
铟
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分析化学（期刊）
锡
电导
光电子学
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期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Dong-Hee Lee; Young-Ha Kwon; Nak-Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Gyungtae Kim; et al 出版日期：2022-12-09 |
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