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Study of high breakdown voltage GaN-based current-aperture vertical electron transistor with source-connected field-plates for power applications
电源用高击穿电压GaN基电流孔径垂直电子晶体管的研究
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Haiyong Wang; Wei Mao; Guanyu Cong; Xiaofei Wang; Ming Du; et al 出版日期:2018-05-14 |
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