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 High Figure-of-Merit (${V}_{\text{BR}}^{\text{2}}$ /${R}_{\text{ON}}$ ) AlGaN/GaN Power HEMT With Periodically C-Doped GaN Buffer and AlGaN Back Barrier 高品质因数（${V}_{\text{BR}}^{\text{2}}$/${R}_{\text{ON}}$）AlGaN/GaN功率HEMT，具有周期性C掺杂GaN缓冲器和AlGaN背势垒
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兴奋剂
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氮化镓
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| 其它 |
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Jun-Hyeok Lee; Sefer Bora Lisesivdin; Jung-Hee Lee; Jeong-Min Ju; Gokhan Atmaca; et al 出版日期：2018-10-19 |
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