标题 |
Interface Engineering for Minimizing Trapped Charge Density in β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes for High-Performance Power Devices
高性能功率器件β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管中俘获电荷密度最小化的界面工程
相关领域
材料科学
接口(物质)
肖特基势垒
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二极管
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物理
坐滴法
量子力学
复合材料
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