MOCVD growth of β-Ga2O3 with fast growth rates (&gt;4.3 μm/h), low controllable doping, and superior transport properties

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标题	MOCVD growth of β-Ga2O3 with fast growth rates (&gt;4.3 μm/h), low controllable doping, and superior transport properties β-Ga2O3的MOCVD生长具有快速生长速率(>4.3 μ m/h）、低可控掺杂和优异输运性能相关领域金属有机气相外延兴奋剂材料科学增长率化学光电子学纳米技术外延数学几何学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/5.0238094
DOI	10.1063/5.0238094 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Dong Su Yu; Lingyu Meng; Hongping Zhao 出版日期：2024-12-09
求助人	Rainor 在 2024-12-31 14:49:01 发布自山东，悬赏 10 积分
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