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 Control of Band Gap and Band Edge Positions in Gallium–Zinc Oxynitride Grown by Molecular Beam Epitaxy 分子束外延生长氮化镓锌带隙和带边位置的控制
相关领域
分子束外延
带隙
纤锌矿晶体结构
材料科学
镓
薄膜
光电子学
宽禁带半导体
微晶
外延
锌
纳米技术
冶金
图层（电子）
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期刊：The Journal of Physical Chemistry C 作者：Max Kraut; Elise Sirotti; Florian Pantle; Chang‐Ming Jiang; Gabriel Grötzner; et al 出版日期：2020-03-18 |
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