标题 |
Experimental and simulation study of breakdown voltage enhancement of AlGaN/GaN heterostructures by Si substrate removal
去除Si基片提高TGA/Gap结构击穿电压的实验与模拟研究
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击穿电压
材料科学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Domenica Visalli; M. Van Hove; Puneet Srivastava; Joff Derluyn; J. Das; et al 出版日期:2010-09-13 |
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