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 Reconfiguration of Intrinsic Depletion-Mode Characteristics of MoS2 Field-Effect Transistors to High-Performance Enhancement-Mode Operation Using an Argon Plasma-Induced p-Type Doping Technique 使用氩等离子体诱导p型掺杂技术将MoS2场效应晶体管的本征耗尽模式特性重新配置为高性能增强模式
相关领域
兴奋剂
材料科学
NMOS逻辑
光电子学
场效应晶体管
晶体管
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半导体
电气工程
电压
工程类
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