标题 |
Orientation-dependent atomic-scale mechanism and defect evolution in β-Ga2O3 thin film epitaxial growth
β-Ga2O3薄膜外延生长中取向相关的原子尺度机制和缺陷演化
相关领域
外延
原子单位
材料科学
堆积
薄膜
从头算量子化学方法
从头算
化学物理
半导体
凝聚态物理
光电子学
晶体孪晶
结晶学
制作
纳米技术
化学
微观结构
物理
医学
有机化学
替代医学
图层(电子)
量子力学
病理
分子
冶金
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:J.X. Zhang; J. Zhao; Junting Chen; Mengyuan Hua 出版日期:2024-01-08 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|