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Random Telegraph Noise in Metal‐Oxide Memristors for True Random Number Generators: A Materials Study
真随机数发生器金属氧化物忆阻器中的随机电报噪声:材料研究
相关领域
材料科学
记忆电阻器
随机性
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期刊:Advanced Functional Materials 作者:Xuehua Li; Tommaso Zanotti; Tao Wang; Kaichen Zhu; Francesco Maria Puglisi; et al 出版日期:2021-04-23 |
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