Comparative Study of Short-Channel Effects Between Source-Gated Transistors and Standard Thin-Film Transistors

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标题	Comparative Study of Short-Channel Effects Between Source-Gated Transistors and Standard Thin-Film Transistors 源极门控晶体管与标准薄膜晶体管短沟道效应的比较研究相关领域薄膜晶体管晶体管阈值电压频道（广播）材料科学光电子学物理电气工程拓扑（电路）电压量子力学工程类电极
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2021.3140043
DOI	10.1109/ted.2021.3140043 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhenze Wang; Li Luo; Yiming Wang; Jiaye Zhang; Aimin Song 出版日期：2022-02-01
求助人	锵崽锵崽在 2025-04-11 16:06:26 发布自福建，悬赏 10 积分
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