Investigation of Electrical Properties of InGaN‐Based Micro‐Light‐Emitting Diode Arrays Achieved by Direct Epitaxy

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标题	Investigation of Electrical Properties of InGaN‐Based Micro‐Light‐Emitting Diode Arrays Achieved by Direct Epitaxy 直接外延InGaN基微型发光二极管阵列的电学性能研究相关领域材料科学光电子学泄漏（经济）发光二极管金属有机气相外延二极管化学气相沉积蚀刻（微加工）外延干法蚀刻制作纳米技术图层（电子）经济病理替代医学宏观经济学医学
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.202100474
DOI	10.1002/pssa.202100474 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Volkan Esendag; J. Bai; Peter Fletcher; Feng Peng; Chenqi Zhu; et al 出版日期：2021-10-23
求助人	sponge 在 2024-08-10 18:10:40 发布自福建，悬赏 10 积分
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