| 标题 |
 Anti-Ferroelectric ZrO$_{\text{2}}$ Capacitors With Ultralow Operating Voltage ($<$1.2 V) and Improved Endurance Toward Logic Compatible eDRAM 反铁电ZrO$_{\text{2}}$电容器，具有超低工作电压（$<$1.2 V）和改进的逻辑兼容eDRAM耐久性
相关领域
电容器
材料科学
铁电性
电压
电气工程
铁电电容器
逻辑门
光电子学
电子工程
工程类
电介质
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jiacheng Xu; Minglei Ma; Ruijie Shen; Haoji Qian; Gaobo Lin; et al 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
杳鸢
不配.
完美的天空
嗯哼
乐乐乐乐乐乐
8R60d8
精明的迎松
甜甜玫瑰
Endlessway
xjcy
HEIKU
36456657
shinysparrow
一一
王黎
VDC
tuanheqi
子车茗
敬老院N号
库昊的假粉丝
皖公网安备34019202002308
