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 Anti-Ferroelectric ZrO$_{\text{2}}$ Capacitors With Ultralow Operating Voltage ($<$1.2 V) and Improved Endurance Toward Logic Compatible eDRAM 反铁电ZrO$_{\text{2}}$电容器，具有超低工作电压（$<$1.2 V）和改进的逻辑兼容eDRAM耐久性
相关领域
电容器
材料科学
铁电性
电压
电气工程
铁电电容器
逻辑门
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电子工程
工程类
电介质
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jiacheng Xu; Minglei Ma; Ruijie Shen; Haoji Qian; Gaobo Lin; et al 出版日期：2024-01-01 |
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