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Fabrication and Optimization of a High-Reliability 700 V Super-Junction MOSFET with Segmented P-Buried RESURF Termination
分段P埋RESURF终端高可靠性700 V超结MOSFET的制作与优化
相关领域
MOSFET
可靠性(半导体)
制作
材料科学
可靠性工程
计算机科学
光电子学
电气工程
工程类
晶体管
物理
电压
功率(物理)
医学
替代医学
量子力学
病理
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DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Guoliang Yao; Ming Qiao; Zesheng Shi; Jue Li; Bo Zhang 出版日期:2024-06-02 |
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