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Reliability degradation impact by ultra low-k dielectrics and improvement study for BEOL process beyond 28nm technology 超低k介质对可靠性的影响及28nm以上BEOL工艺的改进研究
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
电介质
电迁移
可靠性(半导体)
介电强度
光电子学
生产线后端
低介电常数
互连
CMOS芯片
电子工程
电容器
节点(物理)
降级(电信)
电气工程
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电压
复合材料
计算机科学
晶体管
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物理
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期刊: 作者:Fanfei Bai; Xinghua Song 出版日期:2015-03-01 |
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