| 标题 |
 SIMS Analysis of Ultra-Shallow Boron Implant 超浅硼注入体的SIMS分析
相关领域
二次离子质谱法
表征（材料科学）
硼
离子注入
材料科学
光电子学
缩放比例
植入
二次离子质谱
晶体管
半导体
瞬态（计算机编程）
离子
分析化学（期刊）
硅
纳米技术
化学
电气工程
计算机科学
电压
工程类
外科
有机化学
几何学
操作系统
医学
色谱法
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Han Wei Teo; Y. Wang; Kenny Ong; Zhi Qiang Mo 出版日期：2021-09-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
Singularity
paparazzi221
HEIKU
寻道图强
带头大哥
Yziii
好困
星辰大海
shinysparrow
InfoNinja
iNk
坚强的广山
吃不饱星球球长
Hayat
yufanhui
从容芮
lch23560
爱静静
熊熊面包
pluto
皖公网安备34019202002308
