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标题
V-Ramp test and gate oxide screening under the “lucky” defect model
“幸运”缺陷模型下的V-Ramp测试和栅极氧化物筛选
相关领域
薄脆饼 电压 栅氧化层 可靠性工程 氧化物 材料科学 电子工程 质量（理念） 击穿电压 工作（物理） 光电子学 计算机科学 电气工程 工程物理 工程类 机械工程 物理 晶体管 量子力学 冶金
网址
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118184
DOI
10.1109/irps48203.2023.10118184 doi
其它 期刊：2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
作者：Kin P. Cheung
出版日期：2023-03-01
求助人
朴实惜天 在 2024-12-26 12:23:04 发布自江苏，悬赏 10 积分
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