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 First-Principles Investigation of Janus MgZnXY (X, Y = O, S, Se, Te; X ≠ Y) Monolayers for Short-Channel Field Effect Transistor 用于短沟道场效应晶体管的Janus MgZnXY（X，Y=O，S，Se，Te；X≠Y）单层的第一性原理研究
相关领域
杰纳斯
单层
场效应晶体管
频道（广播）
领域（数学）
材料科学
晶体管
光电子学
电气工程
纳米技术
工程类
数学
电压
纯数学
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| 备注 |
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Nayereh Ghobadi; Somayeh Gholami Rudi; Samaneh Soleimani-Amiri 出版日期：2024-09-12 |
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