| 标题 |
 Thermal equilibrium concentration of intrinsic point defects in heavily doped silicon crystals - Theoretical study of formation energy and formation entropy in area of influence of dopant atoms- 重掺杂硅晶体中本征点缺陷的热平衡浓度-掺杂原子影响区形成能和形成熵的理论研究-
相关领域
掺杂剂
晶体缺陷
兴奋剂
空位缺陷
硅
化学
Atom（片上系统）
Crystal（编程语言）
结晶学
材料科学
化学物理
凝聚态物理
物理
有机化学
计算机科学
嵌入式系统
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Crystal Growth 作者：K. Kobayashi; S. Yamaoka; Koji Sueoka; Jan Vanhellemont 出版日期：2016-11-25 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
爱静静
持卿
bc
MchemG
Grayball
nenoaowu
迷人秋烟
昏睡的蟠桃
从容芮
Yuan
YifanWang
tuanheqi
Oracle
康宁
胡萝卜须
andrele
Leon
浦肯野
研友_xnExPL
汉堡包
皖公网安备34019202002308
