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标题
A Theoretical/Experimental Study of Silicon Epitaxy in Horizontal Single-Wafer Chemical Vapor Deposition Reactors
水平单片化学气相沉积反应器中硅外延的理论/实验研究
相关领域
硅 化学气相沉积 薄脆饼 外延 沉积（地质） 材料科学 化学 光电子学 纳米技术 图层（电子） 地质学 古生物学 沉积物
网址
https://doi.org/10.1149/1.1393391
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.1149/1.1393391 doi
其它 期刊：Journal of The Electrochemical Society
作者：Srikanth Kommu; Gregory M. Wilson; Bamin Khomami
出版日期：2000-01-01
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博弈春秋 在 2024-11-21 19:09:57 发布自北京，悬赏 10 积分
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