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An analytical model for the electron effective mobility in a strained silicon inversion layer
应变硅反型层中电子有效迁移率的解析模型
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网址
https://doi.org/10.1016/j.cjph.2018.05.029
DOI
10.1016/j.cjph.2018.05.029 doi
其它 期刊：Chinese Journal of Physics
作者：Xiaoyan Wang; Xiaobo Xu; Huifeng Wang
出版日期：2018-07-18
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奋斗梦旋 在 2025-04-30 16:10:38 发布自广东，悬赏 10 积分
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