Efficient Targeted Regulation of the Interfaces and Bulk in Inverted Perovskite Solar Cells With a [closo‐B12H12]2−‐based Derivative

材料科学 钙钛矿(结构) 钝化 异质结 阳离子聚合 能量转换效率 离子 晶界 纳米技术 化学工程 结晶学 光电子学 有机化学 高分子化学 化学 复合材料 微观结构 图层(电子) 工程类
作者
Zhen He,Jian Xiong,Yingqi Zuo,Haixu Zhao,Liu Fu,Qingsong Hu,Jing Wang,Changrong Zhou,Lin Li,Qilin Dai,Haibo Zhang,Jian Zhang,Jiang Wang
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
标识
DOI:10.1002/adma.202414155
摘要

Abstract The performance and stability of inverted perovskite solar cells (PSCs) is adversely affected by the recombination loss, ion migration, and residual stress arising from issues within the bulk and at the cathode interface. Using simple post‐treatment with a novel solution‐processable derivative of the dodecahydro‐ closo ‐dodecaborate anion ([ closo ‐B 12 H 12 ] 2− )—(TBA) 2 [B 12 H 11 (OCH 2 CH 2 ) 2 OH] (TBA 2 B)—it is simultaneously address these issues. In inverted PSCs, the cationic and anionic components of TBA 2 B uniquely self‐separate by positioning themselves precisely to perform their specific modification functions. The majority of [B 12 H 11 (OCH 2 CH 2 ) 2 OH] 2‐ anions reside at the (6,6)‐phenyl‐C 61 butyric acid methyl ester (PCBM)/Ag interface, which enhances the electrical and physical contact. Additionally, a substantial fraction of tetrabutylammonium cations diffuse into the perovskite/PCBM heterojunction, enabling comprehensive control over the trap passivation, stress release, ion migration elimination, and grain boundary reinforcement through the in situ formation of 1D TBAPbI 3 on the surface of the perovskite crystals. The TBA 2 B devices exhibit high power conversion efficiency of 25.59% and open‐circuit voltage of 1.199 V, performance that is among the highest achieved with a solution‐processed perovskite/PCBM heterojunction. Furthermore, TBA 2 B significantly enhances the device's stability. This study provides crucial insights into the design of efficient and solution processable [ closo ‐B 12 H 12 ] 2− ‐based interface materials, and offers a comprehensive understanding of the underlying modification mechanisms.
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