The effect of gate overlap lightly doped drains on low temperature poly-Si thin film transistors

薄膜晶体管材料科学兴奋剂光电子学晶体管电气工程复合材料工程类图层（电子）电压

作者

Jaehyun Cho,Sungwook Jung,Kyungsoo Jang,Hyung-Sik Park,Jongkyu Heo,Wonbaek Lee,DaeYoung Gong,Seungman Park,Hyung Wook Choi,Hanwook Jung,Byoungdeog Choi,Junsin Yi

出处

期刊：Microelectronics Reliability [Elsevier]
日期：2011-09-11 卷期号：52 (1): 137-140 被引量：2

标识

DOI：10.1016/j.microrel.2011.08.009

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