嵌套(过程)
材料科学
铋
半导体
带隙
吸收(声学)
GSM演进的增强数据速率
直接和间接带隙
吸收边
凝聚态物理
光电子学
冶金
物理
电信
计算机科学
复合材料
作者
W. M. Linhart,Szymon J. Zelewski,P. Scharoch,Filip Dybała,R. Kudrawiec
摘要
Bi 2 S 3 is a nesting-like band gap semiconductor, where direct optical transition dominates above the indirect one, resulting in a strong absorption edge and excitonic emission.
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