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作者
Wanxing Xu,Paul C. Lemaire,K.K. Sharma,Dennis M. Hausmann,Sumit Agarwal
摘要
During area-selective atomic layer deposition (ALD) based on growth inhibitors, nucleation eventually occurs as the metal precursor reacts with the surface through secondary pathways. We show that ALD of Al2O3 on functionalized SiO2 can be significantly delayed by using a lower reactivity, heteroleptic precursor at well below the saturation dose.
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