Fabrication of a 50 nm half-pitch wire grid polarizer using nanoimprint lithography

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作者
Seh‐Won Ahn,Ki-Dong Lee,Jin‐Sung Kim,Sang Hoon Kim,Joo-Do Park,Sarng-Hoon Lee,Phil-Won Yoon
出处
期刊:Nanotechnology [IOP Publishing]
卷期号:16 (9): 1874-1877 被引量:296
标识
DOI:10.1088/0957-4484/16/9/076
摘要

We report the fabrication of a 50 nm half-pitch wire grid polarizer with high performance using nanoimprint lithography. The device is a form of aluminium gratings on a glass substrate whose size of 5.5 cm × 5.5 cm is compatible with a microdisplay panel. A stamp with a pitch of 100 nm was fabricated on a silicon substrate using laser interference lithography and sidewall patterning. The imprint and the aluminium etching processes are optimized to realize uniform aluminium gratings with aspect ratio of 4. The polarization extinction ratio of the fabricated device is over 2000, with transmission of 85% at a wavelength of 450 nm, which is the highest value ever reported. This work demonstrates that nanoimprint lithography is a unique cost-effective solution for nanopatterning requirements in consumer electronics components.
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