Thin‐film CuInSe2/CdS heterojunction solar cells

异质结 光电子学 材料科学 制作 薄膜 光伏系统 太阳能电池 卤素灯 薄膜太阳能电池 光学 纳米技术 冶金 电气工程 物理 工程类 病理 替代医学 医学
作者
Lawrence L. Kazmerski,F. R. White,G. K. Morgan
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:29 (4): 268-270 被引量:223
标识
DOI:10.1063/1.89041
摘要

The fabrication procedures and characteristics of several thin-film p-CuInSe2/n-CdS heterojunction solar cells are presented. Two modes of operation (illumination through CuInSe2 or through CdS) are discussed. Efficiencies in the range of 4–5% are reported, under 100 mW/cm2 tungsten-halogen illumination for 1.2-cm2 devices. Included are the spectral response and J-V characteristics for these photovoltaic junctions.
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