材料科学
钝化
原子层沉积
光电子学
异质结
电介质
带隙
氮化物
宽禁带半导体
图层(电子)
纳米技术
作者
К. Л. Енишерлова,Э. М. Темпер,Yu. V. Kolkovsky,Б. К. Медведев,С. А. Капилин
出处
期刊:Russian Microelectronics
[Springer Nature]
日期:2020-12-01
卷期号:49 (8): 603-611
被引量:4
标识
DOI:10.1134/s106373972008003x
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