Gate Oxide Failure Mechanisms of SiC MOSFET Related to Electro-Thermomechanical Stress Under HTRB and HTGB Test

材料科学 MOSFET 压力(语言学) 氧化物 光电子学 碳化硅 电气工程 复合材料 冶金 工程类 晶体管 电压 语言学 哲学
作者
Min Ren,Shiqi Liang,Tong Zhou,Hang Gu,Wei Gao,M. I. C. Pi,Yuting Tang,Zhihai Liu,Zehong Li,Xinkai Guo,Maozhou Dai,Bo Zhang
标识
DOI:10.1109/ispsd59661.2024.10579620
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