碳化硅
材料科学
工程物理
硅
光电子学
纳米技术
复合材料
工程类
作者
M. S. Shur,Sergey Rumyantsev,M. E. Levinshteĭn
摘要
Growth of SiC Substrates (A Powell et al.) Deep Level Defects in Silicon Carbide (A A Lebedev) Silicon Carbide Junction Field Effect Transistors (D Stephani & P Friedrichs) SiC BJTs (T P Chow & A K Agarwal).
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