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Use of metal strip in stacked gate oxide JLTFET improves device quality and single-event-transient effect

瞬态(计算机编程) 材料科学 质量(理念) 栅氧化层 事件(粒子物理) 氧化物 金属 光电子学 电气工程 计算机科学 工程类 冶金 物理 晶体管 电压 操作系统 量子力学
作者
Amin Vanak,Amir Amini
出处
期刊:Materials Science And Engineering: B [Elsevier]
卷期号:307: 117526-117526
标识
DOI:10.1016/j.mseb.2024.117526
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