CMOS芯片
相容性(地球化学)
绝缘体上的硅
平面的
物联网
缩放比例
计算机科学
互联网
节点(物理)
电子工程
材料科学
工程类
电气工程
工程物理
硅
光电子学
嵌入式系统
万维网
操作系统
结构工程
几何学
数学
复合材料
出处
期刊:China Semiconductor Technology International Conference
日期:2016-03-01
被引量:4
标识
DOI:10.1109/cstic.2016.7464027
摘要
The FinFET technology is continuously progressing toward 14nm node on SOI and bulk substrate with good compatibility with planar CMOS and driving CMOS scaling and Moore's law for low-power/SOC and future Internet-of-Things (IOT) applications. The challenges of new FinFET technology in manufacturing at 14nm and beyond is reviewed.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI