FinFET technology: Overview and status at 14nm node and beyond

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作者
Min-Hwa Chi
出处
期刊:China Semiconductor Technology International Conference 被引量:4
标识
DOI:10.1109/cstic.2016.7464027
摘要

The FinFET technology is continuously progressing toward 14nm node on SOI and bulk substrate with good compatibility with planar CMOS and driving CMOS scaling and Moore's law for low-power/SOC and future Internet-of-Things (IOT) applications. The challenges of new FinFET technology in manufacturing at 14nm and beyond is reviewed.
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