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作者
Artur Tuktamyshev,Stefano Vichi,Federico Cesura,Alexey Fedorov,Sergio Bietti,Daniel Chrastina,Shiro Tsukamoto,S. Sanguinetti
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2022.126906
摘要
We have successfully grown, through the detailed control of the growth kinetics, flat InAlAs metamorphic buffer layers on 2∘-off GaAs(111)A substrates using molecular beam epitaxy. Almost full plastic relaxation is obtained for a layer thickness > 40 nm. The control of an adatom diffusion length and a step ejection probability from the bunches permits a reduction of the InAlAs epilayer root-mean-square surface roughness to 0.55 nm.
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