Selectively Controlled Ferromagnets by Electric Fields in van der Waals Ferromagnetic Heterojunctions

范德瓦尔斯力 自旋电子学 铁磁性 异质结 磁性 凝聚态物理 磁电阻 材料科学 纳米技术 光电子学 化学 磁场 物理 分子 量子力学 有机化学
作者
Zi-Ao Wang,Weishan Xue,Faguang Yan,Wenkai Zhu,Yi Liu,Xinhui Zhang,Zhongming Wei,Kai Chang,Zhe Yuan,Kaiyou Wang
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:23 (2): 710-717 被引量:29
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.2c04796
摘要

Charge transfer plays a key role at the interfaces of heterostructures, which can affect electronic structures and ultimately the physical properties of the materials. However, charge transfer is difficult to manipulate externally once the interface is formed. The recently discovered van der Waals ferromagnets with atomically sharp interfaces provided a perfect platform for the electrical control of interfacial charge transfer. Here, we report magnetoresistance experiments revealing electrically tunable charge transfer in Fe3GeTe2/Cr2Ge2Te6/Fe3GeTe2 all-magnetic van der Waals heterostructures, which can be exploited to selectively modify the switching fields of the top or bottom Fe3GeTe2 electrodes. The directional charge transfer from metallic Fe3GeTe2 to semiconducting Cr2Ge2Te6 is revealed by first-principles calculations, which remarkably modifies the magnetic anisotropy energy of Fe3GeTe2, leading to the dramatically suppressed coercivity. The electrically selective control of magnetism demonstrated in this study could stimulate the development of spintronic devices based on van der Waals magnets.
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