Nitrogen-doped Ga2O3 current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga2O3 vertical device fabrication

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标题	Nitrogen-doped Ga2O3 current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga2O3 vertical device fabrication 用于高压低泄漏Ga2O3垂直器件制造的MOCVD同质外延氮掺杂Ga2O3电流阻挡层相关领域金属有机气相外延材料科学制作光电子学兴奋剂泄漏（经济）氮气宽禁带半导体图层（电子）化学气相沉积纳米技术化学外延医学替代医学有机化学病理经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0239622
DOI	10.1063/5.0239622 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaorui Xu; Desen Chen; Yaoping Lu; Titao Li; Xueli Han; et al 出版日期：2024-11-11
求助人	超帅慕晴在 2024-12-02 20:43:13 发布自福建，悬赏 10 积分
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