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 Influences of Nitrogen Doping on the Electrical Characteristics of Indium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors 氮掺杂对铟锌氧化物薄膜晶体管电学特性的影响
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薄膜晶体管
材料科学
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Yanbing Han; Hengyu Yan; Yun-chu Tsai; Yan Li; Qun Zhang; et al 出版日期：2016-12-01 |
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