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Effects of proton implantation into 4H-SiC substrate: Stacking faults in epilayer on the substrate
质子注入4H-SiC衬底的影响:衬底外延层中的层错
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期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Masashi Kato; Ohga Watanabe; Shunta Harada; Hitoshi Sakane 出版日期:2024-02-24 |
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