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 Fabrication of Ultrathin Ferroelectric Al0.7Sc0.3N Films under Complementary‐Metal‐Oxide‐Semiconductor Compatible Conditions by using HfN0.4 Electrode 用HfN0.4电极在互补-金属-氧化物-半导体相容条件下制备超薄铁电Al0.7Sc 0.3 N薄膜
相关领域
材料科学
铁电性
光电子学
制作
电极
氧化物
泄漏（经济）
矫顽力
纳米技术
电介质
冶金
凝聚态物理
医学
化学
替代医学
物理化学
病理
物理
经济
宏观经济学
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期刊：Advanced Materials 作者：Seung Kyu Ryoo; Kyung Do Kim; Wonho Choi; Panithan Sriboriboon; Seungjae Heo; et al 出版日期：2024-11-13 |
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