| 标题 |
 Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode 用于4H-SiC肖特基势垒二极管的多P型SiC微岛结终端扩展
相关领域
金属半导体结
肖特基势垒
光电子学
材料科学
肖特基二极管
二极管
碳化硅
宽禁带半导体
p-n结
扩展（谓词逻辑）
电接点
电气工程
半导体
计算机科学
工程类
复合材料
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xinyu Wang; Dengwen Yuan; Lingling Lai; Fanpeng Zeng; B. T. Zhang; et al 出版日期：2024-08-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
科研小民工
昏睡的蟠桃
cdercder
pluto
劲秉
nozero
Cactus
子车茗
iNk
back you up
彭于彦祖
SYLH
zho
猪猪hero
请叫我风吹麦浪
微笑的严青
Thien
VDC
默默地读文献
今天只做一件事
皖公网安备34019202002308
