Influence of I/O oxide process on the NBTI performance of 28nm HfO2-based HKMG p-MOSFETs

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标题	Influence of I/O oxide process on the NBTI performance of 28nm HfO2-based HKMG p-MOSFETs I/O氧化工艺对28nm HfO2基HKMG P-MOSFET NBTI性能的影响相关领域负偏压温度不稳定性材料科学氧化物可靠性（半导体）栅氧化层光电子学金属浇口 MOSFET 过程（计算）电子工程电气工程晶体管电压计算机科学工程类物理冶金功率（物理）量子力学操作系统
网址	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.004
DOI	10.1016/j.microrel.2016.07.004 doi
其它	期刊：Microelectronics Reliability 作者：Wei-Ting Kary Chien; Yueqin Zhu; Yongliang Song; Yong Zhao 出版日期：2016-09-01
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