标题 |
Incorporation of N in p-type Zn-N-doped SnO2 films by varying N2 content in sputtering gas mixture
相关领域
材料科学
溅射
兴奋剂
锌
化学工程
纳米技术
冶金
薄膜
光电子学
工程类
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Ho Kim Dan; Minh Khang Pham; Huu Phuc Dang; Uy Lap Quach; Anh Tuan Dao; et al 出版日期:2023-03-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|