| 标题 |
 5.59 W/mm at 30 GHz from E-mode AlN/GaN HEMT using selective etch of in-situ SiN passivation layer 使用选择性蚀刻原位SiN钝化层，在30 GHz下从E模式AlN/GaN HEMT获得5.59 W/mm
相关领域
高电子迁移率晶体管
钝化
材料科学
光电子学
图层（电子）
原位
宽禁带半导体
蚀刻（微加工）
氮化镓
电气工程
晶体管
电压
化学
纳米技术
工程类
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Pengfei Wang; Minhan Mi; Sirui An; Yuwei Zhou; Zhihong Chen; et al 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
个性的紫菜
Cloud
薰硝壤
爱静静
都是
寻道图强
iNk
ShowMaker
乐乐乐乐乐乐
kento
Yziii
浅尝离白
shinysparrow
pcr163
Singularity
坚强亦丝
HEIKU
小墨
好困
皖公网安备34019202002308
