标题 |
On the origin for the hole confinement into apertures for GaN-based VCSELs with buried dielectric insulators
掩埋介质绝缘体GaN基VCSELs孔径空穴限制的成因
相关领域
材料科学
绝缘体(电)
电介质
光电子学
激光阈值
光学
物理
波长
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其它 |
期刊:Optics Express 作者:Sheng Hang; Yonghui Zhang; Yan Gao; Xuejiao Qiu; Jianquan Kou; et al 出版日期:2020-03-11 |
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