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 Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors p-GaN的选择性区域升华与AlGaN的再生长结合用于增强型和耗尽型高电子迁移率晶体管的协集成
相关领域
升华（心理学）
材料科学
光电子学
晶体管
电子迁移率
制作
图层（电子）
纳米技术
电气工程
心理学
医学
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病理
电压
替代医学
心理治疗师
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期刊：Solid-state Electronics 作者：Thi Huong Ngo; Rémi Comyn; Sébastien Chenot; J. Brault; B. Damilano; et al 出版日期：2022-02-01 |
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