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 Suppressing the vdW Gap‐Induced Tunneling Barrier by Constructing Interfacial Covalent Bonds in 2D Metal–Semiconductor Contacts 通过在二维金属-半导体接触中构建界面共价键抑制vdW间隙诱导的隧穿势垒
相关领域
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Wenchao Shan; Anqi Shi; Zhengyang Xin; Xiuyun Zhang; Bing Wang; et al 出版日期：2024-09-12 |
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