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 Design for Variability: Counter-Doped Source/Drain Epitaxy Pockets in Gate-All-Around FET 可变设计：全栅场效应管中反掺杂源/漏外延袋
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jae-Hyuk Lim; Do Young Han; Sangwoo Seon; Hyoung Won Baac; Changhwan Shin 出版日期：2024-01-01 |
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