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标题
InGaN multiple quantum well based light-emitting diodes with indium composition gradient InGaN quantum barriers
InGaN多量子阱InGaN梯度量子势垒发光二极管
相关领域
光电子学 发光二极管 材料科学 量子效率 波段图 量子阱 二极管 光子学 铟 量子 载流子产生和复合 铟镓氮化物 激光器 光学 物理 带隙 半导体 量子力学
网址
https://doi.org/10.1007/s11801-024-3099-0
DOI
10.1007/s11801-024-3099-0 doi
其它 期刊：Optoelectronics Letters
作者：Xien Sang; Yuan Xu; Mengshuang Yin; Fang Wang; Juin J. Liou; et al
出版日期：2024-01-09
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skyfable 在 2024-11-19 08:34:27 发布自江西，悬赏 10 积分
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